Istraživači FER-ovog Laboratorija za mikro i nano elektroniku (MiNEL) razvili su najbrži čisti silicijski lateralni bipolarni tranzistor na svijetu, baziran na novom konceptu bipolarnih tranzistora.
Najnoviji trendovi u razvoju poluvodiča (tranzistora) odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje što jednostavnijeg proizvodnog procesa kako bi im cijena bila što niža. Novi tip tranzistora koji su pod vodstvom profesora Tomislava Suligoja razvili FER-ovi istraživači laboratorija MiNEL, ima znatno jednostavniji proizvodni proces od dominantnih i složenijih silicij-germanijskih bipolarnih tranzistora te samim time i nižu cijenu.
Bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje (HCBT) predstavlja najbrži silicijski bipolarni tranzistor na svijetu. Kao što navod...
Za sudjelovanje u komentarima je potrebna prijava, odnosno registracija ako još nemaš korisnički profil....